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MUN5133T1G

MUN5133T1G ON Semiconductor

dta143zd.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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Technische Details MUN5133T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5133T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 310mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5133T1G MUN5133T1G ON Semiconductor dta143zd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5133T1G MUN5133T1G ON Semiconductor dta143zd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5133T1G MUN5133T1G onsemi DTA143Z-D.PDF Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
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MUN5133T1G MUN5133T1G ONSEMI DTA143Z-D.PDF dta143z-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 80...140
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893+0.095 EUR
1516+0.056 EUR
1977+0.043 EUR
2165+0.039 EUR
3000+0.032 EUR
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11+0.32 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.086 EUR
1000+0.075 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MUN5133T1G MUN5133T1G onsemi DTA143Z-D.PDF Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
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60+0.36 EUR
110+0.19 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MUN5133T1G MUN5133T1G ONSEMI 2237078.pdf Description: ONSEMI - MUN5133T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 3038 Stücke:
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1039+0.23 EUR
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MUN5133T1G MUN5133T1G ONSEMI 2237078.pdf Description: ONSEMI - MUN5133T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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1039+0.23 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
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Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
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Current gain: 80...140
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11+0.32 EUR
18+0.19 EUR
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Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
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500+0.12 EUR
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MUN5133T1G 2237078.pdf
MUN5133T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5133T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
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Description: ONSEMI - MUN5133T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
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Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
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