
MUN5135DW1T1G ON Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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Technische Details MUN5135DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.
Weitere Produktangebote MUN5135DW1T1G nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.43 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : onsemi |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MUN5135DW1T1G (SOT363, ON) 2хТранзистора Produktcode: 153435
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Hersteller : ON |
![]() Gehäuse: SOT-363 U, V: 50 V U, V: 50 V I, А: 0,1 A |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 0.187W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 0.187W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 |
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