MUN5211DW1T1G ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 6212+ | 0.023 EUR |
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Technische Details MUN5211DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MUN5211DW1T1G nach Preis ab 0.022 EUR bis 0.36 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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MUN5211DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 315000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5211DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 315000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5211DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5211DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 15094 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5211DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 52095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5211DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN5211DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 60 |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5211DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 52095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5211DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5211DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
auf Bestellung 11615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN5211DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN |
auf Bestellung 81452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN5211DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5211DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 2800 Stücke: |
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| MUN5211DW1T1G | Hersteller : On Semiconductor |
SOT-363 100mA 250mW Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |