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MUN5211T1G

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Produktcode: 113765
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 390000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.048 EUR
60000+0.042 EUR
120000+0.04 EUR
150000+0.038 EUR
240000+0.036 EUR
300000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 390000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.048 EUR
60000+0.043 EUR
120000+0.042 EUR
150000+0.04 EUR
240000+0.039 EUR
300000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 270000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3473+0.051 EUR
6000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3473 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 270000 Stücke:
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3473+0.051 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3473 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.055 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.06 EUR
9000+0.056 EUR
27000+0.054 EUR
51000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 4124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1815+0.096 EUR
2365+0.074 EUR
2725+0.062 EUR
3437+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1815 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 13829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1822+0.096 EUR
2422+0.071 EUR
2740+0.062 EUR
3677+0.045 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 1822 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
auf Bestellung 1274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
625+0.13 EUR
926+0.092 EUR
1238+0.069 EUR
1274+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 4124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
672+0.26 EUR
1076+0.15 EUR
1180+0.14 EUR
1734+0.09 EUR
1815+0.083 EUR
2365+0.061 EUR
2725+0.051 EUR
3437+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 672 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 13829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.27 EUR
1157+0.14 EUR
1829+0.089 EUR
2434+0.064 EUR
2755+0.055 EUR
3691+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 77065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
115+0.18 EUR
187+0.11 EUR
500+0.081 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 34070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 34070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MUN5211T1G ON-Semiconductor dtc114e-d.pdf Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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MUN5211T1G ON-Semiconductor dtc114e-d.pdf Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 390000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30000+0.048 EUR
60000+0.042 EUR
120000+0.04 EUR
150000+0.038 EUR
240000+0.036 EUR
300000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 390000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30000+0.048 EUR
60000+0.043 EUR
120000+0.042 EUR
150000+0.04 EUR
240000+0.039 EUR
300000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 270000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3473+0.051 EUR
6000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3473 Stücke
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MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 270000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3473+0.051 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3473 Stücke
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MUN5211T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.055 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5211T1G dtc114ed.pdf
MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.06 EUR
9000+0.056 EUR
27000+0.054 EUR
51000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5211T1G dtc114ed.pdf
MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 4124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1815+0.096 EUR
2365+0.074 EUR
2725+0.062 EUR
3437+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1815 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5211T1G dtc114ed.pdf
MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 13829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1822+0.096 EUR
2422+0.071 EUR
2740+0.062 EUR
3677+0.045 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 1822 Stücke
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MUN5211T1G MUN2211.PDF
MUN5211T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
auf Bestellung 1274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
625+0.13 EUR
926+0.092 EUR
1238+0.069 EUR
1274+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 625 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5211T1G dtc114ed.pdf
MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 4124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
672+0.26 EUR
1076+0.15 EUR
1180+0.14 EUR
1734+0.09 EUR
1815+0.083 EUR
2365+0.061 EUR
2725+0.051 EUR
3437+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 672 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5211T1G dtc114ed.pdf
MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 13829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
654+0.27 EUR
1157+0.14 EUR
1829+0.089 EUR
2434+0.064 EUR
2755+0.055 EUR
3691+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
MUN5211T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 77065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+0.31 EUR
115+0.18 EUR
187+0.11 EUR
500+0.081 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
MUN5211T1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 1161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5211T1G 2255300.pdf
MUN5211T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 34070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5211T1G 2255300.pdf
MUN5211T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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Hersteller: ON-Semiconductor
Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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500+0.092 EUR
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Hersteller: ON-Semiconductor
Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
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