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MUN5211T1G

MUN5211T1G ON Semiconductor


dtc114e-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details MUN5211T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN, Bauform - Transistor: SOT-323, Bauform - HF-Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
1650+0.043 EUR
1825+ 0.039 EUR
2075+ 0.034 EUR
2300+ 0.031 EUR
2425+ 0.03 EUR
3000+ 0.029 EUR
12000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 1650
MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
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2425+ 0.03 EUR
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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9000+ 0.032 EUR
24000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3611
MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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3000+0.072 EUR
6000+ 0.068 EUR
9000+ 0.058 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
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10000+ 0.049 EUR
30000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 143
MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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1000+ 0.087 EUR
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ONSEMI dtc114e-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-323
Bauform - HF-Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: 1Verhältnis
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 29855 Stücke:
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5211T1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc114e-d.pdf NPN 100mA 50V 202mW MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
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MUN5211T1G MUN5211T1G
Produktcode: 113765
dtc114e-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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