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MUN5211T1G

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Produktcode: 113765
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 213000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3379+0.052 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3379 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 213000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3379+0.052 EUR
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3379 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 246000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3301+0.054 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3301 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 246000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3323+0.054 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3323 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1743+0.1 EUR
2273+0.077 EUR
2598+0.067 EUR
3345+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1743 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 13829 Stücke:
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1101+0.17 EUR
1678+0.1 EUR
2253+0.076 EUR
2584+0.065 EUR
3547+0.046 EUR
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1101 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
649+0.27 EUR
1041+0.17 EUR
1137+0.14 EUR
1690+0.094 EUR
1743+0.088 EUR
2273+0.064 EUR
2598+0.054 EUR
3345+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 13829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
609+0.3 EUR
1101+0.15 EUR
1678+0.099 EUR
2253+0.07 EUR
2584+0.06 EUR
3547+0.042 EUR
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 609 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
107+0.2 EUR
173+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.36 EUR
15+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 28325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
622+0.4 EUR
1240+0.19 EUR
1653+0.13 EUR
2278+0.094 EUR
2833+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 622 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 28325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
622+0.4 EUR
1240+0.19 EUR
1653+0.13 EUR
2278+0.094 EUR
2833+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 622 Stücke
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MUN5211T1G MUN5211T1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 213000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3379+0.052 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3379 Stücke
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MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 213000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3379+0.052 EUR
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3379 Stücke
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MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 246000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3301+0.054 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3301 Stücke
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MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 246000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3323+0.054 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3323 Stücke
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MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1743+0.1 EUR
2273+0.077 EUR
2598+0.067 EUR
3345+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1743 Stücke
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MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 13829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1101+0.17 EUR
1678+0.1 EUR
2253+0.076 EUR
2584+0.065 EUR
3547+0.046 EUR
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
649+0.27 EUR
1041+0.17 EUR
1137+0.14 EUR
1690+0.094 EUR
1743+0.088 EUR
2273+0.064 EUR
2598+0.054 EUR
3345+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
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MUN5211T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 13829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
609+0.3 EUR
1101+0.15 EUR
1678+0.099 EUR
2253+0.07 EUR
2584+0.06 EUR
3547+0.042 EUR
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 609 Stücke
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MUN5211T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 2095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+0.33 EUR
107+0.2 EUR
173+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5211T1G dtc114e-d.pdf
MUN5211T1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.36 EUR
15+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5211T1G 2255300.pdf
MUN5211T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 28325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
622+0.4 EUR
1240+0.19 EUR
1653+0.13 EUR
2278+0.094 EUR
2833+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 622 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5211T1G 2255300.pdf
MUN5211T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 28325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
622+0.4 EUR
1240+0.19 EUR
1653+0.13 EUR
2278+0.094 EUR
2833+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 622 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN5211T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH