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MUN5211T1G

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Produktcode: 113765
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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5377+0.027 EUR
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3788+0.038 EUR
6000+0.032 EUR
9000+0.027 EUR
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 684000 Stücke:
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3847+0.038 EUR
6000+0.031 EUR
9000+0.027 EUR
15000+0.026 EUR
21000+0.019 EUR
30000+0.018 EUR
75000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 3847
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auf Bestellung 36000 Stücke:
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13275+0.041 EUR
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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3185+0.045 EUR
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 96000 Stücke:
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3000+0.046 EUR
6000+0.041 EUR
9000+0.039 EUR
15000+0.036 EUR
21000+0.034 EUR
30000+0.032 EUR
75000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 15931 Stücke:
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1835+0.079 EUR
2440+0.057 EUR
2995+0.045 EUR
3226+0.04 EUR
6000+0.035 EUR
15000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 1835
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 13829 Stücke:
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1812+0.14 EUR
2000+0.081 EUR
5000+0.058 EUR
9000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 1812
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 15931 Stücke:
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686+0.21 EUR
1064+0.13 EUR
1352+0.099 EUR
1698+0.076 EUR
1835+0.067 EUR
2440+0.049 EUR
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6000+0.033 EUR
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : onsemi DTC114E-D.PDF Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
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20+0.14 EUR
100+0.09 EUR
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1000+0.055 EUR
3000+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 98095 Stücke:
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72+0.25 EUR
122+0.14 EUR
199+0.089 EUR
500+0.064 EUR
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ONSEMI dtc114e-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 42260 Stücke:
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 56195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MUN5211T1G Hersteller : ON-Semiconductor dtc114e-d.pdf Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MUN5211T1G Hersteller : ON-Semiconductor dtc114e-d.pdf Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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MUN5211T1G Hersteller : ON Semiconductor DTC114E-D.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5мА, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0,202, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 500 Stücke:
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MUN5211T1G Hersteller : On Semiconductor MUN%282%2C5%29211_MMUN2211L_DTC114Exx_NSBC114EF3.PDF Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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