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MUN5211T1G

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dtc114e-d.pdf
Produktcode: 113765
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.046 EUR
6000+0.041 EUR
9000+0.039 EUR
15000+0.036 EUR
21000+0.034 EUR
30000+0.032 EUR
75000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : onsemi DTC114E-D.PDF Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 24789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+0.24 EUR
20+0.14 EUR
100+0.09 EUR
500+0.062 EUR
1000+0.055 EUR
3000+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 98095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
122+0.14 EUR
199+0.089 EUR
500+0.064 EUR
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5211T1G MUN5211T1G Hersteller : ONSEMI dtc114e-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 42260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MUN5211T1G Hersteller : ON-Semiconductor dtc114e-d.pdf Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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MUN5211T1G Hersteller : ON-Semiconductor dtc114e-d.pdf Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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