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MUN5212DW1T1G

MUN5212DW1T1G ON Semiconductor

dtc124edd.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details MUN5212DW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G ON Semiconductor dtc124edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G onsemi dtc124ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
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MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G onsemi dtc124ed-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
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MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G onsemi dtc124ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
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MUN5212DW1T1G MUN5212DW1T1G ON Semiconductor dtc124edd.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5212DW1T1G ON-Semiconductor dtc124ed-d.pdf 2NPN 50V 100mA 250mW MUN5212DW1T1G ONSemiconductor TMUN5212dw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
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Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
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2NPN 50V 100mA 250mW MUN5212DW1T1G ONSemiconductor TMUN5212dw
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