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MUN5213DW1T1G

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.075 EUR
6000+0.067 EUR
9000+0.063 EUR
15000+0.059 EUR
21000+0.056 EUR
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 30730 Stücke:
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126+0.14 EUR
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G onsemi DTC144ED_D-2310750.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 33146 Stücke:
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100+0.13 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.069 EUR
9000+0.06 EUR
24000+0.058 EUR
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor DTC144ED_D-2310750.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
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MUN5213DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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MUN5213DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Hersteller: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
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Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
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