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MUN5213DW1T1G

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Produktcode: 174648
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11539+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 11539 Stücke
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
9000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
9000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.089 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.075 EUR
15000+0.07 EUR
21000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1687+0.1 EUR
2041+0.084 EUR
3000+0.062 EUR
9000+0.054 EUR
24000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1687 Stücke
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ONSEMI 2255301.pdf Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
9000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ONSEMI MUN5213DW1.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 3000pcs.
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.25 EUR
424+0.2 EUR
464+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
576+0.3 EUR
996+0.17 EUR
1687+0.095 EUR
2041+0.076 EUR
3000+0.055 EUR
9000+0.048 EUR
24000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 576 Stücke
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+0.31 EUR
562+0.3 EUR
564+0.29 EUR
565+0.27 EUR
567+0.26 EUR
569+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
565+0.31 EUR
567+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 565 Stücke
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 30730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
79+0.27 EUR
126+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ONSEMI 2255301.pdf Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 21030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+0.57 EUR
705+0.33 EUR
1124+0.19 EUR
1537+0.14 EUR
1802+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G onsemi DTC144ED_D-2310750.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 33146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.58 EUR
11+0.33 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.082 EUR
9000+0.071 EUR
24000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1T1G ON Semiconductor DTC144ED_D-2310750.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 12575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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MUN5213DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11539+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 11539 Stücke
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MUN5213DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.065 EUR
9000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5213DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.065 EUR
9000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5213DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.089 EUR
6000+0.08 EUR
9000+0.075 EUR
15000+0.07 EUR
21000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5213DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1687+0.1 EUR
2041+0.084 EUR
3000+0.062 EUR
9000+0.054 EUR
24000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1687 Stücke
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MUN5213DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
9000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5213DW1T1G MUN5213DW1.PDF
MUN5213DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 47kΩ; R2: 47kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 3000pcs.
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
334+0.25 EUR
424+0.2 EUR
464+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
576+0.3 EUR
996+0.17 EUR
1687+0.095 EUR
2041+0.076 EUR
3000+0.055 EUR
9000+0.048 EUR
24000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 576 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
560+0.31 EUR
562+0.3 EUR
564+0.29 EUR
565+0.27 EUR
567+0.26 EUR
569+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
565+0.31 EUR
567+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 565 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1G dtc144ed-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 30730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+0.44 EUR
79+0.27 EUR
126+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1G 2255301.pdf
MUN5213DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 21030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
435+0.57 EUR
705+0.33 EUR
1124+0.19 EUR
1537+0.14 EUR
1802+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
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MUN5213DW1T1G DTC144ED_D-2310750.pdf
MUN5213DW1T1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 33146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.58 EUR
11+0.33 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.082 EUR
9000+0.071 EUR
24000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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MUN5213DW1T1G mun5211dw1t1-d.pdf
MUN5213DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5213DW1T1G DTC144ED_D-2310750.pdf
MUN5213DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 12575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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