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MUN5214T1G

MUN5214T1G ON Semiconductor


dtc114y-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details MUN5214T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

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MUN5214T1G MUN5214T1G Hersteller : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
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30000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MUN5214T1G MUN5214T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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2050+0.076 EUR
2054+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 2050
MUN5214T1G MUN5214T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114y-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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651+0.24 EUR
944+ 0.16 EUR
1027+ 0.14 EUR
1924+ 0.073 EUR
2050+ 0.065 EUR
2054+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 651
MUN5214T1G MUN5214T1G Hersteller : onsemi DTC114Y_D-2311148.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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127+0.41 EUR
203+ 0.26 EUR
417+ 0.12 EUR
1000+ 0.086 EUR
3000+ 0.068 EUR
9000+ 0.055 EUR
24000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 127
MUN5214T1G MUN5214T1G Hersteller : onsemi dtc114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 30625 Stücke:
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63+0.42 EUR
89+ 0.29 EUR
164+ 0.16 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 63
MUN5214T1G MUN5214T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013796092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 1300 Stücke:
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MUN5214T1G MUN5214T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013796092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
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