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MUN5216DW1T1G

MUN5216DW1T1G onsemi


DTC143TD_D-2310950.pdf Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN
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Technische Details MUN5216DW1T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

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MUN5216DW1T1G MUN5216DW1T1G Hersteller : onsemi dtc143td-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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MUN5216DW1T1G MUN5216DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5216DW1T1G Hersteller : ON dtc143td-d.pdf 07+;
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MUN5216DW1T1G MUN5216DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5216DW1T1G MUN5216DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor mun5211dw1t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5216DW1T1G MUN5216DW1T1G Hersteller : onsemi dtc143td-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
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