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MUN5232DW1T1G

MUN5232DW1T1G ON Semiconductor

mun5211dw1t1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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9000+0.052 EUR
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Technische Details MUN5232DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ON Semiconductor dtc143ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ON Semiconductor dtc143ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+0.076 EUR
9000+0.063 EUR
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MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ON Semiconductor dtc143ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G onsemi dtc143ed-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.095 EUR
9000+0.079 EUR
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MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ON Semiconductor dtc143ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 7675 Stücke:
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677+0.26 EUR
1000+0.17 EUR
2305+0.068 EUR
2399+0.063 EUR
2646+0.055 EUR
2778+0.05 EUR
3000+0.048 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 677 Stücke
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MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G onsemi dtc143ed-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
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9+0.39 EUR
14+0.24 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.061 EUR
99000+0.058 EUR
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MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0011394413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3365 Stücke:
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500+0.54 EUR
944+0.23 EUR
1725+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
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MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G onsemi dtc143ed-d.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 9731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
50+0.42 EUR
103+0.2 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0011394413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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293+0.86 EUR
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3000+0.1 EUR
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MUN5232DW1T1G MUN5232DW1T1G ON Semiconductor DTC143ED_D-2311082.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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AnzahlPrivatkunde
2305+0.076 EUR
2399+0.073 EUR
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5232DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
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AnzahlPrivatkunde
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1000+0.17 EUR
2305+0.068 EUR
2399+0.063 EUR
2646+0.055 EUR
2778+0.05 EUR
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6000+0.044 EUR
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Hersteller: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
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14+0.24 EUR
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1000+0.092 EUR
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99000+0.058 EUR
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MUN5232DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3365 Stücke:
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500+0.54 EUR
944+0.23 EUR
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3000+0.1 EUR
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MUN5232DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
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MUN5232DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5232DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
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