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MUN5235T1G

MUN5235T1G ON Semiconductor

dtc123j-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
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Technische Details MUN5235T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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9000+0.03 EUR
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Mindestbestellmenge: 5077 Stücke
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MUN5235T1G MUN5235T1G ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
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5155+0.035 EUR
6000+0.032 EUR
9000+0.029 EUR
15000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 5155 Stücke
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MUN5235T1G MUN5235T1G ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
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5155+0.035 EUR
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MUN5235T1G MUN5235T1G onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.055 EUR
6000+0.049 EUR
9000+0.046 EUR
15000+0.043 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.038 EUR
75000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5235T1G MUN5235T1G ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 45018 Stücke:
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2054+0.086 EUR
2305+0.075 EUR
2924+0.058 EUR
4762+0.035 EUR
6000+0.033 EUR
15000+0.032 EUR
30000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 2054 Stücke
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MUN5235T1G MUN5235T1G onsemi DTC123J_D-1387473.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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20+0.18 EUR
100+0.1 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.058 EUR
6000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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MUN5235T1G MUN5235T1G ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 45018 Stücke:
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1031+0.17 EUR
1042+0.15 EUR
2033+0.077 EUR
2054+0.074 EUR
2305+0.063 EUR
2924+0.048 EUR
4762+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 628 Stücke
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MUN5235T1G MUN5235T1G onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 85960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
122+0.17 EUR
199+0.11 EUR
500+0.076 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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MUN5235T1G MUN5235T1G ONSEMI dtc123j-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 92770 Stücke:
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720+0.35 EUR
1201+0.19 EUR
1989+0.11 EUR
2916+0.074 EUR
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MUN5235T1G MUN5235T1G ONSEMI ONSM-S-A0017606262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 92770 Stücke:
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720+0.35 EUR
1201+0.19 EUR
1989+0.11 EUR
2916+0.074 EUR
3135+0.068 EUR
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MUN5235T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5077+0.035 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.023 EUR
21000+0.021 EUR
30000+0.02 EUR
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AnzahlPrivatkunde
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6000+0.032 EUR
9000+0.029 EUR
15000+0.024 EUR
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5155+0.035 EUR
6000+0.033 EUR
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15000+0.025 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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21000+0.04 EUR
30000+0.038 EUR
75000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 45018 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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2305+0.075 EUR
2924+0.058 EUR
4762+0.035 EUR
6000+0.033 EUR
15000+0.032 EUR
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Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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MUN5235T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 85960 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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122+0.17 EUR
199+0.11 EUR
500+0.076 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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MUN5235T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 92770 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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1201+0.19 EUR
1989+0.11 EUR
2916+0.074 EUR
3135+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 720 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5235T1G ONSM-S-A0017606262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUN5235T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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2916+0.074 EUR
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