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MUN5311DW1T1G

MUN5311DW1T1G ON Semiconductor

dtc114ep-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.067 EUR
6000+0.061 EUR
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Technische Details MUN5311DW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 385mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.067 EUR
6000+0.062 EUR
9000+0.048 EUR
24000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 13800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9464+0.07 EUR
10601+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 9464 Stücke
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MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.082 EUR
6000+0.067 EUR
12000+0.057 EUR
27000+0.054 EUR
51000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.093 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ONSEMI MUN5311DW1.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ON Semiconductor dtc114ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 19210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+0.38 EUR
820+0.2 EUR
978+0.17 EUR
1330+0.12 EUR
1345+0.11 EUR
1710+0.084 EUR
1973+0.07 EUR
3000+0.064 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
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MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ONSEMI 1842044.pdf Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 82145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
547+0.45 EUR
1065+0.21 EUR
1534+0.14 EUR
2156+0.1 EUR
2451+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 547 Stücke
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MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G onsemi dtc114ep-d.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
auf Bestellung 39087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ONSEMI 1842044.pdf Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 77160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+0.56 EUR
870+0.26 EUR
1163+0.18 EUR
1710+0.13 EUR
1946+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
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MUN5311DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.067 EUR
6000+0.062 EUR
9000+0.048 EUR
24000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 13800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9464+0.07 EUR
10601+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 9464 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9464+0.07 EUR
10601+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 9464 Stücke
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MUN5311DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.082 EUR
6000+0.067 EUR
12000+0.057 EUR
27000+0.054 EUR
51000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5311DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.093 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MUN5311DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
255+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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MUN5311DW1T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 19210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
466+0.38 EUR
820+0.2 EUR
978+0.17 EUR
1330+0.12 EUR
1345+0.11 EUR
1710+0.084 EUR
1973+0.07 EUR
3000+0.064 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN5311DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 82145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
547+0.45 EUR
1065+0.21 EUR
1534+0.14 EUR
2156+0.1 EUR
2451+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 547 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MUN5311DW1T1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
auf Bestellung 39087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
MUN5311DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5311DW1T1G 1842044.pdf
MUN5311DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 77160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
447+0.56 EUR
870+0.26 EUR
1163+0.18 EUR
1710+0.13 EUR
1946+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH