Produkte > ONSEMI > MUN5311DW1T1G
MUN5311DW1T1G

MUN5311DW1T1G onsemi

dtc114ep-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 219000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.076 EUR
6000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MUN5311DW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote MUN5311DW1T1G nach Preis ab 0.097 EUR bis 0.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ONSEMI MUN5311DW1.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 265
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G onsemi dtc114ep-d.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
auf Bestellung 39894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
12+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G onsemi dtc114ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 221750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
73+0.24 EUR
118+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1T1G ONSEMI dtc114ep-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 78850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5311DW1T1G MUN5311DW1.pdf
MUN5311DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.385W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 265
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
MUN5311DW1T1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
auf Bestellung 39894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.39 EUR
12+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
MUN5311DW1T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 221750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+0.39 EUR
73+0.24 EUR
118+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUN5311DW1T1G dtc114ep-d.pdf
MUN5311DW1T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5311DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 78850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH