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MUN5316DW1T1G

MUN5316DW1T1G ON Semiconductor

dtc143tp-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details MUN5316DW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MUN5316DW1T1G MUN5316DW1T1G ON Semiconductor dtc143tp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5316DW1T1G MUN5316DW1T1G onsemi dtc143tp-d.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
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MUN5316DW1T1G MUN5316DW1T1G onsemi dtc143tp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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MUN5316DW1T1G ONSEMI dtc143tp-d.pdf Description: ONSEMI - MUN5316DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
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Part Status: Active
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