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MUN5316DW1T1G

MUN5316DW1T1G onsemi


dtc143tp-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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Technische Details MUN5316DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

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MUN5316DW1T1G MUN5316DW1T1G Hersteller : onsemi DTC143TP_D-2311083.pdf Digital Transistors 100mA Complementary 50V NPN & PNP
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MUN5316DW1T1G MUN5316DW1T1G Hersteller : onsemi dtc143tp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
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Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
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Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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MUN5316DW1T1G MUN5316DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143tp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5316DW1T1G MUN5316DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143tp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5316DW1T1G Hersteller : ON dtc143tp-d.pdf 06+ SOT-363
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MUN5316DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143tp-d.pdf
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MUN5316DW1T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0001706873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5316DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MUN5316DW1T1G MUN5316DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143tp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5316DW1T1G MUN5316DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc143tp-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
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MUN5316DW1T1G MUN5316DW1T1G Hersteller : ONSEMI dtc143tp-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 160...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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MUN5316DW1T1G MUN5316DW1T1G Hersteller : ONSEMI dtc143tp-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 160...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
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