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MURHB860CTT4G ONSEMI


ONSM-S-A0013307585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 ns
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SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Technische Details MURHB860CTT4G ONSEMI

Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MURHB860CTT4G MURHB860CTT4G ONSEMI ONSM-S-A0013307585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 ns
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
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MURHB860CTT4G MURHB860CTT4G ON Semiconductor MURHB860CT_D-2316630.pdf Rectifiers 600V 8A Ultrafast
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MURHB860CTT4G MURHB860CTT4G ON Semiconductor murhb860ct-d.pdf Diode Switching 600V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 ns
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