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Technische Details MURHB860CTT4G ON Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 4 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: D2PAK, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MURHB860CTT4G | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MURHB860CTT4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

