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MURHB860CTT4G

MURHB860CTT4G ON Semiconductor


murhb860ct-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 8A 35ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details MURHB860CTT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MURHB860CTT4G MURHB860CTT4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013307585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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MURHB860CTT4G MURHB860CTT4G Hersteller : ON Semiconductor MURHB860CT_D-2316630.pdf Rectifiers 600V 8A Ultrafast
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MURHB860CTT4G MURHB860CTT4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013307585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 ns
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MURHB860CTT4G Hersteller : ON Semiconductor murhb860ct-d.pdf
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MURHB860CTT4G MURHB860CTT4G Hersteller : ON Semiconductor murhb860ct-d.pdf Rectifier Diode Switching 600V 8A 35ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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MURHB860CTT4G MURHB860CTT4G Hersteller : onsemi murhb860ct-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
MURHB860CTT4G MURHB860CTT4G Hersteller : onsemi murhb860ct-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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