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MURS160HE3_A/H

MURS160HE3_A/H Vishay

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Hersteller: Vishay
Diode Switching 600V 2A Automotive 2-Pin SMB T/R
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Technische Details MURS160HE3_A/H Vishay

Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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MURS160HE3_A/H MURS160HE3_A/H Vishay Semiconductors murs140.pdf Rectifiers 1A,600V,50ns SMB, UF Rect, SMD
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MURS160HE3_A/H MURS160HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs140.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
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