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MURS360T3G

MURS360T3G ON Semiconductor

murs320t3-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 600V 4A 2-Pin SMC T/R
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Technische Details MURS360T3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MURS360T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.28 V, 75 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AB (SMC), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.28V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MURS3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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MURS360T3G MURS360T3G Hersteller : ON Semiconductor murs320t3-d.pdf Diode Switching 600V 4A 2-Pin SMC T/R
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MURS360T3G MURS360T3G Hersteller : onsemi murs320t3-d.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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MURS360T3G MURS360T3G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE581BE3538F04AC469&compId=MURS360T3G.PDF?ci_sign=419dc7296b3dc1f944688a8431ac38e6f447219b Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 75ns; SMC; Ufmax: 1.28V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
133+0.54 EUR
203+0.35 EUR
214+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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MURS360T3G MURS360T3G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE581BE3538F04AC469&compId=MURS360T3G.PDF?ci_sign=419dc7296b3dc1f944688a8431ac38e6f447219b Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 75ns; SMC; Ufmax: 1.28V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
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MURS360T3G (SMC, ON) MURS360T3G (SMC, ON)
Produktcode: 115765
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
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MURS360T3G MURS360T3G Hersteller : onsemi murs320t3-d.pdf Rectifiers 600V 3A Ultrafast
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MURS360T3G MURS360T3G Hersteller : onsemi murs320t3-d.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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MURS360T3G MURS360T3G Hersteller : ON Semiconductor murs320t3-d.pdf Diode Switching 600V 4A 2-Pin SMC T/R
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MURS360T3G MURS360T3G Hersteller : ONSEMI 1708332.pdf Description: ONSEMI - MURS360T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.28 V, 75 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.28V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MURS360T3G MURS360T3G Hersteller : ON Semiconductor murs320t3-d.pdf Diode Switching 600V 4A 2-Pin SMC T/R
auf Bestellung 133 Stücke:
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MURS360T3G MURS360T3G Hersteller : ONSEMI 1708332.pdf Description: ONSEMI - MURS360T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1.28 V, 75 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.28V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURS3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MURS360T3G MURS360T3G Hersteller : ON Semiconductor murs320t3-d.pdf Rectifier Diode Switching 600V 75ns 2-Pin SMC T/R
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MURS360T3G Hersteller : ON Semiconductor murs320t3-d.pdf Випрямний ультрашвидкий діод SMD; Ur, В = 600; Io, А = 3; If, A = 3; Uf (max), В = 1,25; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 600; trr, нс = 75; Тексп, °С = -65...+175; Темп.опір,°C/Вт = 11; Час, станд, відновл (нс)/струм, мА = 500; SMC
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MURS360T3G MURS360T3G Hersteller : ON Semiconductor murs320t3-d.pdf Rectifier Diode Switching 600V 75ns 2-Pin SMC T/R
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