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MWI80-12T6K IXYS


MWI80-12T6K-1110295.pdf Hersteller: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 80 Amps 1200V
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Technische Details MWI80-12T6K IXYS

Description: IGBT MODULE 1200V 80A 270W E1, Packaging: Box, Package / Case: E1, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: E1, IGBT Type: Trench, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 270 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V.

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MWI80-12T6K Hersteller : IXYS MWI80-12T6K IGBT modules
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MWI80-12T6K Hersteller : IXYS Description: IGBT MODULE 1200V 80A 270W E1
Packaging: Box
Package / Case: E1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E1
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 270 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.6 nF @ 25 V
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