Produkte > NXP SEMICONDUCTORS > MZ0912B100Y,114
MZ0912B100Y,114

MZ0912B100Y,114 NXP Semiconductors


mx_mz0912b100y_2.pdf Hersteller: NXP Semiconductors
Trans RF BJT NPN 20V 6A 3-Pin CDFM Blister
Produkt ist nicht verfügbar

Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MZ0912B100Y,114 NXP Semiconductors

Description: RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-443A, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 7.6dB, Power - Max: 290W, Current - Collector (Ic) (Max): 6A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frequency - Transition: 1.215GHz, Supplier Device Package: CDFM2, Part Status: Obsolete.

Weitere Produktangebote MZ0912B100Y,114

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MZ0912B100Y,114 MZ0912B100Y,114 Hersteller : Ampleon USA Inc. MX,MZ0912B100Y.pdf Description: RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-443A
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 7.6dB
Power - Max: 290W
Current - Collector (Ic) (Max): 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Frequency - Transition: 1.215GHz
Supplier Device Package: CDFM2
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
MZ0912B100Y,114 MZ0912B100Y,114 Hersteller : NXP Semiconductors MX_MZ0912B100Y-354060.pdf Bipolar Transistors - BJT BULKTR TNS-MICP
Produkt ist nicht verfügbar