MZ0912B50Y Ampleon USA Inc.
Hersteller: Ampleon USA Inc.Description: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-443A
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 150W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Frequency - Transition: 1.215GHz
Supplier Device Package: SOT443A
Part Status: Active
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Technische Details MZ0912B50Y Ampleon USA Inc.
Description: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-443A, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 8dB, Power - Max: 150W, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Frequency - Transition: 1.215GHz, Supplier Device Package: SOT443A, Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| MZ0912B50Y |
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| MZ0912B50Y | Hersteller : Advanced Semiconductor, Inc. |
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN |
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