N0602N-S19-AY Renesas Electronics
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.02 EUR |
| 10+ | 3.26 EUR |
| 100+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 1.85 EUR |
| 1000+ | 1.69 EUR |
| 2000+ | 1.65 EUR |
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Technische Details N0602N-S19-AY Renesas Electronics
Description: RENESAS - N0602N-S19-AY - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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N0602N-S19-AY | RENESAS |
 Description: RENESAS - N0602N-S19-AY - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| N0602N-S19-AY |
|
Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - N0602N-S19-AY - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: RENESAS - N0602N-S19-AY - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH