NAND02GW3B2D-N6E
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Technische Details NAND02GW3B2D-N6E
Description: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 2Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NAND, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 48-TSOP, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 256M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote NAND02GW3B2D-N6E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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| NAND02GW3B2DN-6E |
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| NAND02GW3B2DN6E | Hersteller : NUMONYX |
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auf Bestellung 8640 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NAND02GW3B2DN6E | Hersteller : Micron Technology Inc. |
Description: IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP Packaging: Tray Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NAND Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 48-TSOP Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 256M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NAND02GW3B2DN6E | Hersteller : STMicroelectronics |
NAND Flash |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NAND02GW3B2DN6E | Hersteller : Micron |
Micron |
Produkt ist nicht verfügbar |