Technische Details NAND512W3A2CN6E
- FLASH NAND 512MB, SMD, TSOP48, 512
- Memory Type:Flash, NAND
- Interface Type:Parallel
- Memory Size:512Mbit
- Memory Configuration:64M x 8bit
- Read Cycle Time, tRC:30ns
- Page Size:528Byte
- Block Size:16896Byte
- Memory Voltage Vcc:3.3V
- Read/Write Cycles:4
- Min Supply Voltage:2.7V
- Max Supply Voltage:3.6V
- Termination Type:SMD
- Case Style:TSOP
- No. of Pins:48
- Operating Temperature Range:-40`C to + 85`C
- Access Time:12es
- Base Number:512
- Max Operating Temperature:85`C
- Min Temperature Operating:-40`C
- Voltage Vcc:3.3V
- Memory IC Case Style:TSOP
Weitere Produktangebote NAND512W3A2CN6E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| NAND512W3A2CN6E | STM |
  Мікросхеми пам'яті |
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 |
NAND512W3A2CN6E | Micron Technology Inc. |
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP Memory Organization: 64M x 8 Access Time: 50 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 50ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 48-TSOP Memory Format: FLASH Technology: FLASH - NAND Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Packaging: Tray |
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| NAND512W3A2CN6E | Micron |
NAND Flash |
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 |
NAND512W3A2CN6E | STMicroelectronics |
NAND Flash 512 MBIT MEM ARRAY NAND FLASH MEMORY |
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| NAND512W3A2CN6E |
|
Hersteller: STM
Мікросхеми пам'яті
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| NAND512W3A2CN6E |
|
Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
Memory Organization: 64M x 8
Access Time: 50 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 50ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 48-TSOP
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NAND
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
Memory Organization: 64M x 8
Access Time: 50 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 50ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 48-TSOP
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NAND
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
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| NAND512W3A2CN6E |
|
Hersteller: Micron
NAND Flash
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| NAND512W3A2CN6E |
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Hersteller: STMicroelectronics
NAND Flash 512 MBIT MEM ARRAY NAND FLASH MEMORY
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