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NCP5106ADR2G

NCP5106ADR2G onsemi

ncp5106-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 32500 Stücke:
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Technische Details NCP5106ADR2G onsemi

Description: ONSEMI - NCP5106ADR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 500mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 250mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 100ns, Ausgabeverzögerung: 100ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Hersteller : ON Semiconductor ncp5106-d.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
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NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Hersteller : ON Semiconductor ncp5106-d.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1094 Stücke:
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NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Hersteller : onsemi ncp5106-d.pdf Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
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10+1.71 EUR
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500+1.09 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.92 EUR
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NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Hersteller : onsemi ncp5106-d.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Hersteller : ONSEMI 2290238.pdf Description: ONSEMI - NCP5106ADR2G - MOSFET/IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NCP5106ADR2G NCP5106ADR2G Hersteller : ON Semiconductor ncp5106-d.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
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NCP5106ADR2G
Produktcode: 192309
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NCP5106ADR2G Hersteller : ONSEMI ncp5106-d.pdf NCP5106ADR2G MOSFET/IGBT drivers
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