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NCP5106BDR2G

NCP5106BDR2G ON Semiconductor

ncp5106-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 112500 Stücke:
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Technische Details NCP5106BDR2G ON Semiconductor

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NCP5106BDR2G NCP5106BDR2G ON Semiconductor ncp5106-d.pdf Driver 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
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250+1 EUR
500+0.93 EUR
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2500+0.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 126 Stücke
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NCP5106BDR2G NCP5106BDR2G ON Semiconductor ncp5106d.pdf Driver 2-OUT High Side/Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
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1000+0.77 EUR
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Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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NCP5106BDR2G NCP5106BDR2G onsemi ncp5106-d.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1805 Stücke:
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NCP5106BDR2G NCP5106BDR2G onsemi ncp5106-d.pdf Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
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Input Type: Non-Inverting
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Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
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Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
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