NCP5111DR2G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.91 EUR |
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Technische Details NCP5111DR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 500mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 250mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 750ns, Ausgabeverzögerung: 100ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Weitere Produktangebote NCP5111DR2G nach Preis ab 0.88 EUR bis 3.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NCP5111DR2G | onsemi |
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER |
auf Bestellung 6900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NCP5111DR2G | onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Active Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Number of Drivers: 2 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Synchronous Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns Supplier Device Package: 8-SOIC High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply: 10V ~ 20V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 5393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NCP5111DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 750ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3076 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NCP5111DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 750ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3076 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NCP5111DR2G |
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auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NCP5111DR2G |
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Hersteller: onsemi
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER
Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.96 EUR |
| 10+ | 1.81 EUR |
| 100+ | 1.22 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| 2500+ | 0.9 EUR |
| 5000+ | 0.88 EUR |
| NCP5111DR2G |
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Hersteller: onsemi
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 85ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.43 EUR |
| 10+ | 2.14 EUR |
| 25+ | 1.8 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| 250+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| NCP5111DR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP5111DR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCP5111DR2G - Treiber-IC, zweifach, Half Bridge, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 100ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP5111DR2G |
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auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH