NCP5183DR2G ON Semiconductor
Hersteller: ON SemiconductorDriver 4.3A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details NCP5183DR2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NCP5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.3A, Versorgungsspannung, min.: 9V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 18V, Eingabeverzögerung: 120ns, Ausgabeverzögerung: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NCP5183DR2G nach Preis ab 1.71 EUR bis 7.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NCP5183DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Driver 4.3A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
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NCP5183DR2G | Hersteller : onsemi |
Gate Drivers HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
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NCP5183DR2G | Hersteller : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
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NCP5183DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.3A Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 120ns Ausgabeverzögerung: 120ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NCP5183DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.3A Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 120ns Ausgabeverzögerung: 120ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP5183DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,low-side,gate driver Case: SO8 Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Voltage class: 600V Mounting: SMD Supply voltage: 9...18V DC Output current: -4.3...4.3A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 40ns Pulse fall time: 40ns Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NCP5183DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Driver 4.3A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
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NCP5183DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Driver 4.3A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
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NCP5183DR2G | Hersteller : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
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NCP5183DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,low-side,gate driver Case: SO8 Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Voltage class: 600V Mounting: SMD Supply voltage: 9...18V DC Output current: -4.3...4.3A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 40ns Pulse fall time: 40ns Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side |
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