NCP81075DR2G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Voltage - Supply: 8.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 7ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 1.51 EUR |
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Technische Details NCP81075DR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 8.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 20ns, Ausgabeverzögerung: 20ns, Betriebstemperatur, max.: 140°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NCP81075DR2G nach Preis ab 1.74 EUR bis 3.80 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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NCP81075DR2G | Hersteller : onsemi |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ) Voltage - Supply: 8.5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 7ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
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NCP81075DR2G | Hersteller : onsemi |
Gate Drivers HIGH PERF DUAL MOS GATE DRIVER |
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NCP81075DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 8.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 140°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NCP81075DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 8.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 20ns Betriebstemperatur, max.: 140°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1026 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP81075DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Driver 2-OUT High and Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP81075DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Gate Power Driver IC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCP81075DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-side,low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side Case: SO8 Supply voltage: 8.5...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...140°C Output current: -4...4A Impulse rise time: 8ns Pulse fall time: 7ns Number of channels: 2 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NCP81075DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-side,low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side Case: SO8 Supply voltage: 8.5...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...140°C Output current: -4...4A Impulse rise time: 8ns Pulse fall time: 7ns Number of channels: 2 |
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