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NCP81075DR2G

NCP81075DR2G onsemi

ncp81075-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Voltage - Supply: 8.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 7ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details NCP81075DR2G onsemi

Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 8.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 20ns, Ausgabeverzögerung: 20ns, Betriebstemperatur, max.: 140°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NCP81075DR2G NCP81075DR2G ONSEMI ONSM-S-A0013302954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 8.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.92 EUR
250+2.55 EUR
500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NCP81075DR2G NCP81075DR2G onsemi ncp81075-d.pdf Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 7ns
Supplier Device Package: 8-SOIC
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 8.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3235 Stücke:
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6+3.89 EUR
10+2.87 EUR
25+2.62 EUR
100+2.33 EUR
250+2.2 EUR
500+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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NCP81075DR2G NCP81075DR2G onsemi NCP81075_D-2317476.pdf Gate Drivers HIGH PERF DUAL MOS GATE DRIVER
auf Bestellung 658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+3.81 EUR
100+3.08 EUR
250+2.68 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.08 EUR
2500+2.07 EUR
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NCP81075DR2G NCP81075DR2G ONSEMI ONSM-S-A0013302954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 8.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.79 EUR
51+4.62 EUR
60+3.62 EUR
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Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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NCP81075DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 8.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP81075DR2G ncp81075-d.pdf
NCP81075DR2G
Hersteller: onsemi
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 2
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Channel Type: Independent
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 7ns
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Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 8.5V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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AnzahlPrivatkunde
6+3.89 EUR
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250+2.2 EUR
500+2.13 EUR
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NCP81075DR2G
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Gate Drivers HIGH PERF DUAL MOS GATE DRIVER
auf Bestellung 658 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.52 EUR
10+3.81 EUR
100+3.08 EUR
250+2.68 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.08 EUR
2500+2.07 EUR
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NCP81075DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81075DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 8.5V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, 20ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
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rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 8.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert, nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 20ns
Ausgabeverzögerung: 20ns
Betriebstemperatur, max.: 140°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ONN
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