| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.95 EUR |
| 10+ | 2.67 EUR |
| 100+ | 1.93 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| 2500+ | 1.2 EUR |
| 5000+ | 1.17 EUR |
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Technische Details NCP81080DR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCP81080DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 5.5V-20V Versorgung, 800mAout, 30ns Verzögerung, SOIC-8, Sinkstrom: 800, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, Leistungsschalter: MOSFET, Eingang: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Anzahl der Kanäle: 2, Betriebstemperatur, min.: -40, Versorgungsspannung, min.: 5.5, Quellstrom: 500, Spitzenausgangsstrom: 800, Bauform - Treiber: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Versorgungsspannung, max.: 20, Eingabeverzögerung: 44, Ausgabeverzögerung: 30, Betriebstemperatur, max.: 140, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote NCP81080DR2G nach Preis ab 1.7 EUR bis 4.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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NCP81080DR2G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NCP81080DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 5.5V-20V Versorgung, 800mAout, 30ns Verzögerung, SOIC-8Sinkstrom: 800 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 5.5 Quellstrom: 500 Spitzenausgangsstrom: 800 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 20 Eingabeverzögerung: 44 Ausgabeverzögerung: 30 Betriebstemperatur, max.: 140 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 1281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP81080DR2G | ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8 Case: SO8 Operating temperature: -40...140°C Pulse fall time: 17ns Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Impulse rise time: 19ns Topology: MOSFET half-bridge Mounting: SMD Supply voltage: 5.5...20V DC Output current: -800...500mA Type of integrated circuit: driver |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NCP81080DR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81080DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 5.5V-20V Versorgung, 800mAout, 30ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 800
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 5.5
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 800
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 44
Ausgabeverzögerung: 30
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCP81080DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 5.5V-20V Versorgung, 800mAout, 30ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 800
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 5.5
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 800
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 44
Ausgabeverzögerung: 30
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 4.34 EUR |
| 68+ | 3.46 EUR |
| 100+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| NCP81080DR2G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Operating temperature: -40...140°C
Pulse fall time: 17ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Impulse rise time: 19ns
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...20V DC
Output current: -800...500mA
Type of integrated circuit: driver
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Operating temperature: -40...140°C
Pulse fall time: 17ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Impulse rise time: 19ns
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...20V DC
Output current: -800...500mA
Type of integrated circuit: driver
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