| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.52 EUR |
| 10+ | 2.55 EUR |
| 25+ | 2.31 EUR |
| 100+ | 2.02 EUR |
| 250+ | 1.9 EUR |
| 500+ | 1.81 EUR |
| 1000+ | 1.78 EUR |
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Technische Details NCV5183DR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 4.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.3A, Versorgungsspannung, min.: 9V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 18V, Eingabeverzögerung: 120ns, Ausgabeverzögerung: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NCV5183DR2G nach Preis ab 1.95 EUR bis 5.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NCV5183DR2G | Hersteller : onsemi |
 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICVoltage - Supply: 9V ~ 18V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Current - Peak Output (Source, Sink): 4.3A, 4.3A Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V Gate Type: MOSFET (N-Channel) Number of Drivers: 2 Driven Configuration: Half-Bridge Channel Type: Independent Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns Supplier Device Package: 8-SOIC High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Input Type: Non-Inverting |
auf Bestellung 1879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NCV5183DR2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV5183DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 9V bis 18V Versorgung, 4.3Aout, 120ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.3A Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 120ns Ausgabeverzögerung: 120ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NCV5183DR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1669 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |