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NDB5060L

NDB5060L onsemi


ndb5060l-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 30 V
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Technische Details NDB5060L onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 30 V.

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NDB5060L NDB5060L Hersteller : onsemi ndb5060l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 30 V
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NDB5060L NDB5060L Hersteller : onsemi / Fairchild ndb5060l-d.pdf MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
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NDB5060L Hersteller : Fairchild ndb5060l-d.pdf
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NDB5060L Hersteller : FSC ndb5060l-d.pdf TO-263 06+
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NDB5060L Hersteller : NS ndb5060l-d.pdf SOT263
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NDB5060L NDB5060L Hersteller : ON Semiconductor ndb5060l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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NDB5060L NDB5060L Hersteller : ON Semiconductor ndb5060l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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NDB5060L NDB5060L Hersteller : ON Semiconductor ndb5060ljp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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NDB5060L Hersteller : ONSEMI ndb5060l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Mounting: SMD
Case: D2PAK-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 78A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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NDB5060L Hersteller : ONSEMI ndb5060l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; Idm: 78A; 68W; D2PAK-3
Mounting: SMD
Case: D2PAK-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
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