| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.14 EUR |
| 10+ | 3.14 EUR |
| 100+ | 2.98 EUR |
| 500+ | 2.67 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |
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Technische Details NDP6060 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Weitere Produktangebote NDP6060 nach Preis ab 2.81 EUR bis 9.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NDP6060 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDP6060 | onsemi |
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode |
auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDP6060 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
auf Bestellung 1508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDP6060 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NDP6060 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NDP6060 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 46 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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NDP6060 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 46 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NDP6060 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.38 EUR |
| 10+ | 4.86 EUR |
| 50+ | 3.76 EUR |
| 100+ | 3.42 EUR |
| 500+ | 2.81 EUR |
| NDP6060 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.46 EUR |
| 10+ | 5.55 EUR |
| 100+ | 4.13 EUR |
| 500+ | 3.45 EUR |
| 1000+ | 3.2 EUR |
| 2500+ | 3.01 EUR |
| NDP6060 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 1508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 9.57 EUR |
| 44+ | 5.32 EUR |
| 100+ | 3.81 EUR |
| 500+ | 3.37 EUR |
| 1000+ | 3.3 EUR |
| NDP6060 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NDP6060 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NDP6060 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NDP6060 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)