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NDP6060

NDP6060 ON Semiconductor

ndp6060-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details NDP6060 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NDP6060 NDP6060 Hersteller : ON Semiconductor ndp6060-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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NDP6060 NDP6060 Hersteller : onsemi / Fairchild NDP6060_D-2317680.pdf MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
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NDP6060 NDP6060 Hersteller : onsemi ndp6060-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
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NDP6060 NDP6060 Hersteller : ONSEMI 2304247.pdf Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
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NDP6060 NDP6060 Hersteller : ON Semiconductor ndp6060-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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NDP6060 Hersteller : Fairchild ndp6060-d.pdf
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NDP6060 NDP6060 Hersteller : ON Semiconductor 3659591138648692ndp6060.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 48A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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