NDP6060 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 1.87 EUR |
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Technische Details NDP6060 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NDP6060 nach Preis ab 1.78 EUR bis 6.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NDP6060 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDP6060 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode |
auf Bestellung 957 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDP6060 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDP6060 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDP6060 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1443 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDP6060 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDP6060 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NDP6060 | Hersteller : Fairchild |
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auf Bestellung 43200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NDP6060 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NDP6060 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NDP6060 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; Idm: 144A; 100W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 48A Power dissipation: 100W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25µΩ Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 144A Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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| NDP6060 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; Idm: 144A; 100W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 48A Power dissipation: 100W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25µΩ Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 144A |
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