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NDS0610

NDS0610 ON Semiconductor

nds0610-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NDS0610 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : onsemi nds0610-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : ON Semiconductor nds0610-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : ONSEMI NDS0610.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 10Ω
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NDS0610 NDS0610
Produktcode: 91972
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nds0610-d.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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252+0.55 EUR
253+0.53 EUR
500+0.5 EUR
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : ON Semiconductor nds0610-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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320+0.43 EUR
503+0.26 EUR
670+0.19 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 197
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : onsemi nds0610-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
auf Bestellung 62249 Stücke:
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34+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : onsemi nds0610-d.pdf MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
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10+0.9 EUR
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500+0.35 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : ONSEMI 2304443.pdf Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 32062 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS0610 Hersteller : ON-Semiconductor nds0610-d.pdf Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS0610 Hersteller : ON-Semiconductor nds0610-d.pdf Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS0610 Hersteller : ONSEMI 2304443.pdf Description: ONSEMI - NDS0610 - MOSFET, P-KANAL, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 32062 Stücke:
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