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NDS0610

NDS0610 onsemi

nds0610-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Technische Details NDS0610 onsemi

Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : ON Semiconductor 2512808881158410nds0610.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CE102A5F723820&compId=NDS0610.pdf?ci_sign=7f7692f0900ae6af894209e5ec4d9faa0b98ebc3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2547 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
204+0.35 EUR
256+0.28 EUR
277+0.26 EUR
472+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CE102A5F723820&compId=NDS0610.pdf?ci_sign=7f7692f0900ae6af894209e5ec4d9faa0b98ebc3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : onsemi / Fairchild nds0610-d.pdf MOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
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10+0.39 EUR
100+0.28 EUR
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1000+0.2 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : onsemi nds0610-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : ON Semiconductor 2512808881158410nds0610.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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323+0.44 EUR
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576+0.23 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 235
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : ON Semiconductor 2512808881158410nds0610.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : ONSEMI 2304443.pdf Description: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : ON Semiconductor 2512808881158410nds0610.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS0610 NDS0610 Hersteller : ON Semiconductor 2512808881158410nds0610.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS0610 Hersteller : ON-Semicoductor nds0610-d.pdf Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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NDS0610 Hersteller : ON-Semicoductor nds0610-d.pdf Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 309 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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NDS0610 Hersteller : ON-Semicoductor nds0610-d.pdf Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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NDS0610 NDS0610
Produktcode: 91972
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