Produkte > ON SEMICONDUCTOR > NDS331N
NDS331N

NDS331N ON Semiconductor

nds331n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 62860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1149+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NDS331N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote NDS331N nach Preis ab 0.1 EUR bis 1.37 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 753000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
15000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 753000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N onsemi nds331n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 62860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.5 EUR
526+0.32 EUR
699+0.24 EUR
882+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 83500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+0.5 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+0.61 EUR
300+0.58 EUR
309+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N ONSEMI NDS331N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.5/0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 210/160mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.63 EUR
182+0.46 EUR
233+0.37 EUR
261+0.32 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.92 EUR
290+0.58 EUR
292+0.56 EUR
300+0.52 EUR
309+0.49 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N onsemi / Fairchild NDS331N-D.PDF MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
auf Bestellung 132947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.64 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N onsemi nds331n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
auf Bestellung 24659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
26+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N onsemi nds331n-d.pdf MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
auf Bestellung 238441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N ONSEMI 3982295.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 227949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N ONSEMI 3982295.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 227949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N ONSEMI 2303897.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 273000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N HXY MOSFET nds331n-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 72mOhm; 2,3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NDS331N Onsemi; NDS331N HXY MOSFET TNDS331n HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N Fairchild nds331n-d.pdf N-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW NDS331N Fairchild TNDS331n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 753000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.21 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
15000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 753000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.21 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.3 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 62860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
350+0.5 EUR
526+0.32 EUR
699+0.24 EUR
882+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 83500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
353+0.5 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
292+0.61 EUR
300+0.58 EUR
309+0.55 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N.pdf
NDS331N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.5/0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 210/160mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
136+0.63 EUR
182+0.46 EUR
233+0.37 EUR
261+0.32 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
192+0.92 EUR
290+0.58 EUR
292+0.56 EUR
300+0.52 EUR
309+0.49 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N NDS331N-D.PDF
NDS331N
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
auf Bestellung 132947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.94 EUR
10+0.64 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
auf Bestellung 24659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.36 EUR
26+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
auf Bestellung 238441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.37 EUR
10+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N 3982295.pdf
NDS331N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 227949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N 3982295.pdf
NDS331N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 227949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N 2303897.pdf
NDS331N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 273000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 72mOhm; 2,3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NDS331N Onsemi; NDS331N HXY MOSFET TNDS331n HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
Hersteller: Fairchild
N-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW NDS331N Fairchild TNDS331n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH