Technische Details NDS331N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NDS331N nach Preis ab 0.083 EUR bis 1.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 753000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 753000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 62860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 83500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A Power dissipation: 0.5/0.46W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 210/160mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V |
auf Bestellung 24659 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : onsemi |
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode |
auf Bestellung 238441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 227949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 227949 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 273000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NDS331N | Hersteller : HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 72mOhm; 2,3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NDS331N Onsemi; NDS331N HXY MOSFET TNDS331n HXY Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NDS331N | Hersteller : Fairchild |
N-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW NDS331N Fairchild TNDS331n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,3 А, Ptot, Вт = 0,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 162 @ 10, Qg, нКл = 5 @ 4,5 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| NDS331N | Hersteller : ONS/FAI |
MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |