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Technische Details NDS331N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NDS331N nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 321000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 321000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V |
auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A On-state resistance: 210/160mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5/0.46W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3014 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A On-state resistance: 210/160mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5/0.46W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23 |
auf Bestellung 3014 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode |
auf Bestellung 217339 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V |
auf Bestellung 63826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 256992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NDS331N | Hersteller : Fairchild |
N-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW NDS331N Fairchild TNDS331n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NDS331N | Hersteller : On Semiconductor/Fairchild |
MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDS331N | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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