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NDS331N

NDS331N ON Semiconductor

nds331n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NDS331N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NDS331N NDS331N Hersteller : ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS331N NDS331N Hersteller : ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS331N NDS331N Hersteller : onsemi nds331n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
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Mindestbestellmenge: 3000
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NDS331N NDS331N Hersteller : ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS331N NDS331N Hersteller : ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.16 EUR
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NDS331N NDS331N Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CE283B50CCB820&compId=NDS331N.pdf?ci_sign=bfb5eb309c936f0d746454c453e649e64bc662e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 210/160mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5/0.46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3014 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
177+0.41 EUR
218+0.33 EUR
231+0.31 EUR
365+0.20 EUR
385+0.19 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 125
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NDS331N NDS331N Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CE283B50CCB820&compId=NDS331N.pdf?ci_sign=bfb5eb309c936f0d746454c453e649e64bc662e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 210/160mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5/0.46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
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218+0.33 EUR
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365+0.20 EUR
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1500+0.18 EUR
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NDS331N NDS331N Hersteller : ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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192+0.77 EUR
286+0.50 EUR
292+0.47 EUR
421+0.31 EUR
429+0.30 EUR
514+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 192
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NDS331N NDS331N Hersteller : onsemi nds331n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
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22+0.81 EUR
34+0.52 EUR
100+0.39 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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NDS331N NDS331N Hersteller : onsemi / Fairchild nds331n-d.pdf MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
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4+0.85 EUR
10+0.57 EUR
100+0.42 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.30 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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NDS331N NDS331N Hersteller : ONSEMI 3982295.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 258351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NDS331N NDS331N Hersteller : ONSEMI 3982295.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 258351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NDS331N NDS331N Hersteller : ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NDS331N NDS331N Hersteller : ONSEMI 2303897.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 297000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NDS331N Hersteller : Fairchild nds331n-d.pdf N-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW NDS331N Fairchild TNDS331n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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NDS331N Hersteller : On Semiconductor/Fairchild nds331n-d.pdf MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3
auf Bestellung 2 Stücke:
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NDS331N NDS331N Hersteller : ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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