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NDS331N

NDS331N ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NDS331N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS331N NDS331N onsemi nds331n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
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NDS331N NDS331N ONSEMI 2303897.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 243000 Stücke:
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NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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1000+0.51 EUR
3000+0.49 EUR
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NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS331N NDS331N onsemi / Fairchild NDS331N-D.PDF MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
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NDS331N NDS331N onsemi nds331n-d.pdf MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
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NDS331N NDS331N onsemi nds331n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
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15+1.4 EUR
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50+0.63 EUR
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500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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NDS331N NDS331N ONSEMI 3982295.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 206899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.7 EUR
322+0.73 EUR
365+0.58 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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NDS331N NDS331N ONSEMI 3982295.pdf Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 206899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.7 EUR
322+0.73 EUR
365+0.58 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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NDS331N NDS331N ON Semiconductor nds331n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS331N HXY MOSFET nds331n-d.pdf NDS331N HXY MOSFET Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 72mOhm; 2,3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NDS331N Onsemi; TNDS331n HXY
auf Bestellung 3000 Stücke:
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NDS331N Fairchild nds331n-d.pdf NDS331N Fairchild N-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW TNDS331n
auf Bestellung 1 Stücke:
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NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 753000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 753000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
15000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 321000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
21000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
6000+0.19 EUR
15000+0.18 EUR
30000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.21 EUR
21000+0.2 EUR
30000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NDS331N 2303897.pdf
NDS331N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 243000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.35 EUR
9000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 83500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
353+0.5 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.26 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 62860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
350+0.51 EUR
526+0.32 EUR
699+0.24 EUR
882+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
292+0.61 EUR
300+0.58 EUR
309+0.56 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.49 EUR
6000+0.46 EUR
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NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
192+0.93 EUR
290+0.6 EUR
292+0.57 EUR
300+0.54 EUR
309+0.5 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.4 EUR
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NDS331N
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
auf Bestellung 132947 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4+0.94 EUR
10+0.64 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
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NDS331N
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
auf Bestellung 271099 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+1.37 EUR
10+0.62 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NDS331N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.4 EUR
25+0.87 EUR
50+0.63 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N 3982295.pdf
NDS331N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 206899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
147+1.7 EUR
322+0.73 EUR
365+0.58 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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NDS331N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 206899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
147+1.7 EUR
322+0.73 EUR
365+0.58 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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NDS331N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS331N nds331n-d.pdf
Hersteller: HXY MOSFET
NDS331N HXY MOSFET Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 72mOhm; 2,3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NDS331N Onsemi; TNDS331n HXY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Fairchild
NDS331N Fairchild N-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW TNDS331n
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.68 EUR
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