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NDS332P

NDS332P ON Semiconductor

nds332p-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NDS332P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NDS332P nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NDS332P NDS332P ON Semiconductor nds332p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 294000 Stücke:
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NDS332P NDS332P ON Semiconductor nds332p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS332P NDS332P ON Semiconductor nds332p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS332P NDS332P ON Semiconductor nds332p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS332P NDS332P ON Semiconductor nds332p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS332P NDS332P ON Semiconductor nds332p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.26 EUR
27000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NDS332P NDS332P onsemi NDS332P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NDS332P NDS332P ONSEMI NDS332P-D.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.95 EUR
132+0.64 EUR
191+0.45 EUR
223+0.38 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
1500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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NDS332P NDS332P onsemi / Fairchild NDS332P-D.PDF MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
auf Bestellung 32761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.74 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NDS332P NDS332P onsemi NDS332P-D.PDF MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
auf Bestellung 11984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+0.81 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NDS332P NDS332P ONSEMI NDS332P-D.PDF Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+1.32 EUR
256+0.9 EUR
363+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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NDS332P NDS332P onsemi NDS332P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
auf Bestellung 102012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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NDS332P Fairchild NDS332P-D.PDF Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; NDS332P TNDS332p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 294000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
30000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 294000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.25 EUR
6000+0.21 EUR
12000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 19615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2434+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2434 Stücke
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NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2434+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2434 Stücke
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NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
9000+0.26 EUR
27000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NDS332P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.32 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NDS332P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
90+0.95 EUR
132+0.64 EUR
191+0.45 EUR
223+0.38 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
1500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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NDS332P NDS332P-D.PDF
NDS332P
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
auf Bestellung 32761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.99 EUR
10+0.74 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS332P NDS332P-D.PDF
NDS332P
Hersteller: onsemi
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
auf Bestellung 11984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.32 EUR
10+0.81 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.29 EUR
9000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS332P NDS332P-D.PDF
NDS332P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
190+1.32 EUR
256+0.9 EUR
363+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS332P NDS332P-D.PDF
NDS332P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
auf Bestellung 102012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS332P NDS332P-D.PDF
Hersteller: Fairchild
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; NDS332P TNDS332p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH