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NDS332P

NDS332P ON Semiconductor

nds332p-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NDS332P ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V.

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NDS332P NDS332P Hersteller : onsemi NDS332P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
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NDS332P NDS332P Hersteller : ON Semiconductor nds332p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS332P NDS332P Hersteller : ONSEMI NDS332P-D.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.74Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 335 Stücke:
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Anzahl Preis
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143+0.5 EUR
176+0.41 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
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NDS332P NDS332P Hersteller : ONSEMI NDS332P-D.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.74Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
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NDS332P NDS332P Hersteller : onsemi / Fairchild NDS332P-D.PDF MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
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NDS332P NDS332P Hersteller : onsemi NDS332P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
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500+0.35 EUR
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NDS332P NDS332P Hersteller : ONSEMI NDS332P-D.PDF Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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NDS332P NDS332P Hersteller : ON Semiconductor nds332p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS332P Hersteller : Fairchild NDS332P-D.PDF Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; NDS332P TNDS332p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 200
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