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NDS332P

NDS332P ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details NDS332P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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NDS332P NDS332P onsemi NDS332P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
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535+0.32 EUR
536+0.31 EUR
553+0.3 EUR
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NDS332P NDS332P ON Semiconductor nds332p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
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457+0.37 EUR
494+0.33 EUR
535+0.29 EUR
536+0.27 EUR
553+0.26 EUR
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NDS332P NDS332P ON Semiconductor nds332p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+0.32 EUR
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NDS332P NDS332P onsemi NDS332P-D.PDF MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
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NDS332P NDS332P onsemi NDS332P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
auf Bestellung 73222 Stücke:
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15+1.43 EUR
24+0.88 EUR
50+0.64 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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NDS332P NDS332P ONSEMI 2299934.pdf Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 11694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.76 EUR
229+1.01 EUR
355+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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NDS332P NDS332P ONSEMI 2299934.pdf Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 11694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.76 EUR
229+1.01 EUR
355+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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NDS332P NDS332P ONSEMI NDS332P-D.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NDS332P Fairchild NDS332P-D.PDF Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; NDS332P TNDS332p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7100 Stücke:
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599+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 599 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7100 Stücke:
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599+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 599 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
590+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 590 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2039+0.32 EUR
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2039 Stücke
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NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2039+0.32 EUR
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2039 Stücke
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NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
521+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
521+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 521 Stücke
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NDS332P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.33 EUR
6000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS332P nds332p-d.pdf
NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
494+0.36 EUR
535+0.32 EUR
536+0.31 EUR
553+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS332P nds332p-d.pdf
NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
409+0.43 EUR
457+0.37 EUR
494+0.33 EUR
535+0.29 EUR
536+0.27 EUR
553+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS332P nds332p-d.pdf
NDS332P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
327+0.54 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS332P NDS332P-D.PDF
NDS332P
Hersteller: onsemi
MOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
auf Bestellung 28907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.43 EUR
10+0.64 EUR
100+0.57 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS332P NDS332P-D.PDF
NDS332P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
auf Bestellung 73222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.43 EUR
24+0.88 EUR
50+0.64 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS332P 2299934.pdf
NDS332P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 11694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.76 EUR
229+1.01 EUR
355+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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NDS332P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 11694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.76 EUR
229+1.01 EUR
355+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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NDS332P NDS332P-D.PDF
NDS332P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NDS332P NDS332P-D.PDF
Hersteller: Fairchild
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; NDS332P TNDS332p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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