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NDS352AP

NDS352AP ON Semiconductor

nds352ap-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details NDS352AP ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NDS352AP nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NDS352AP NDS352AP onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NDS352AP NDS352AP ON Semiconductor nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.87 EUR
292+0.58 EUR
295+0.56 EUR
434+0.36 EUR
438+0.35 EUR
564+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
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NDS352AP NDS352AP onsemi / Fairchild nds352ap-d.pdf MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
auf Bestellung 65508 Stücke:
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4+1 EUR
10+0.7 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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NDS352AP NDS352AP ONSEMI NDS352AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC
auf Bestellung 3009 Stücke:
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85+1 EUR
117+0.73 EUR
136+0.63 EUR
190+0.45 EUR
218+0.39 EUR
258+0.33 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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NDS352AP NDS352AP onsemi nds352ap-d.pdf MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
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3+1.36 EUR
10+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NDS352AP NDS352AP ONSEMI nds352ap-d.pdf Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+1.36 EUR
266+0.88 EUR
370+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
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NDS352AP NDS352AP onsemi nds352ap-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
auf Bestellung 77708 Stücke:
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16+1.38 EUR
25+0.86 EUR
100+0.55 EUR
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1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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NDS352AP Aptina Imaging nds352ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.6 EUR
434+0.4 EUR
438+0.39 EUR
564+0.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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NDS352AP
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
auf Bestellung 75000 Stücke:
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NDS352AP
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
204+0.87 EUR
292+0.58 EUR
295+0.56 EUR
434+0.36 EUR
438+0.35 EUR
564+0.26 EUR
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NDS352AP
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
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AnzahlPrivatkunde
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NDS352AP
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC
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AnzahlPrivatkunde
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117+0.73 EUR
136+0.63 EUR
190+0.45 EUR
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258+0.33 EUR
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NDS352AP nds352ap-d.pdf
NDS352AP
Hersteller: onsemi
MOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
auf Bestellung 47871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.36 EUR
10+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NDS352AP
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6883 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
185+1.36 EUR
266+0.88 EUR
370+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
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NDS352AP nds352ap-d.pdf
NDS352AP
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
auf Bestellung 77708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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25+0.86 EUR
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500+0.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS352AP nds352ap-d.pdf
Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6061 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
295+0.6 EUR
434+0.4 EUR
438+0.39 EUR
564+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
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