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NDS356AP

NDS356AP ONSEMI

ONSM-S-A0013303298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS356AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperSOT 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 4548 Stücke:
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Technische Details NDS356AP ONSEMI

Description: ONSEMI - NDS356AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperSOT 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NDS356AP NDS356AP onsemi ONSM-S-A0003585169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDS356AP NDS356AP onsemi ONSM-S-A0003585169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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NDS356AP NDS356AP onsemi ONSM-S-A0003585169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs P-Channel Logic
Produkt ist nicht verfügbar
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NDS356AP NDS356AP ON Semiconductor nds356ap-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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NDS356AP
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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NDS356AP
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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NDS356AP
Hersteller: onsemi
MOSFETs P-Channel Logic
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NDS356AP
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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