Technische Details NDS9925A FAI
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Weitere Produktangebote NDS9925A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| NDS9925A | Hersteller : FAI |
 SO-8 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NDS9925A | Hersteller : FAIRCHILD |
09+ |
auf Bestellung 218 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NDS9925A | Hersteller : FAIRCHILD |
SO-8 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NDS9925A | Hersteller : NS |
09+ SOP8 |
auf Bestellung 1009 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NDS9925A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |