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NDT014L

NDT014L ON Semiconductor

ndt014ld.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4000+0.69 EUR
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Technische Details NDT014L ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85331000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

Weitere Produktangebote NDT014L nach Preis ab 0.58 EUR bis 3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NDT014L NDT014L ON Semiconductor ndt014ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NDT014L NDT014L onsemi ndt014l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 8000 Stücke:
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4000+0.75 EUR
8000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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NDT014L NDT014L ON Semiconductor ndt014ld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 16293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
662+1 EUR
1000+0.9 EUR
10000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 662 Stücke
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NDT014L NDT014L onsemi ndt014l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 30 V
auf Bestellung 9778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.78 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.81 EUR
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NDT014L NDT014L onsemi ndt014l-d.pdf MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
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2+3 EUR
10+1.92 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
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NDT014L NDT014L ONSEMI ONSM-S-A0013303117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 4848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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NDT014L NDT014L ONSEMI ONSM-S-A0013303117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 4848 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NDT014L Fairchild ndt014l-d.pdf N-MOSFET 2.8A 60V 0.17Ω NDT014L TNDT014L
Anzahl je Verpackung: 313 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
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313+0.58 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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NDT014L
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 16293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
662+1 EUR
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10000+0.79 EUR
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NDT014L
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 30 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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12+1.78 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
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100+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.9 EUR
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NDT014L ONSM-S-A0013303117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDT014L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 4848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDT014L ONSM-S-A0013303117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NDT014L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 4848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NDT014L ndt014l-d.pdf
Hersteller: Fairchild
N-MOSFET 2.8A 60V 0.17Ω NDT014L TNDT014L
Anzahl je Verpackung: 313 Stücke
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
313+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH