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NDT3055

NDT3055 ON Semiconductor

ndt3055d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Technische Details NDT3055 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Weitere Produktangebote NDT3055 nach Preis ab 0.46 EUR bis 3.03 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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NDT3055 NDT3055 onsemi ndt3055-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.73 EUR
8000+0.68 EUR
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auf Bestellung 5000 Stücke:
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1000+0.74 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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NDT3055 NDT3055 ON Semiconductor ndt3055d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2967 Stücke:
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700+0.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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86+2.07 EUR
133+1.29 EUR
178+0.92 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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NDT3055 NDT3055 ON Semiconductor ndt3055d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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4000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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NDT3055 NDT3055 onsemi ndt3055-d.pdf MOSFETs SOT-223 N-CH ENHANCE
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2+2.57 EUR
10+1.55 EUR
100+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NDT3055 NDT3055 ONSEMI 2285683.pdf Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
122+1.9 EUR
250+1.39 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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NDT3055 NDT3055 ONSEMI 2285683.pdf Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
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100+2.77 EUR
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NDT3055 NDT3055 onsemi ndt3055-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
auf Bestellung 11876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
11+1.93 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.84 EUR
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NDT3055 Fairchild ndt3055-d.pdf
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4000+0.63 EUR
24000+0.62 EUR
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NDT3055
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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4000+0.73 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2967 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
700+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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NDT3055
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.07 EUR
133+1.29 EUR
178+0.92 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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NDT3055
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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NDT3055
Hersteller: onsemi
MOSFETs SOT-223 N-CH ENHANCE
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10+1.55 EUR
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NDT3055
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+2.77 EUR
122+1.9 EUR
250+1.39 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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NDT3055
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.77 EUR
122+1.9 EUR
250+1.39 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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NDT3055
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
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11+1.93 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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Hersteller: Fairchild
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