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NDT3055

NDT3055 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details NDT3055 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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NDT3055 NDT3055 ON Semiconductor ndt3055d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NDT3055 NDT3055 onsemi ndt3055-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
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NDT3055 NDT3055 ONSEMI 2285683.pdf Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
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82+3.07 EUR
140+1.65 EUR
250+1.34 EUR
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Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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NDT3055 NDT3055 ONSEMI 2285683.pdf Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
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NDT3055 NDT3055 onsemi ndt3055-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
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NDT3055 NDT3055 onsemi ndt3055-d.pdf MOSFETs SOT-223 N-CH ENHANCE
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1+3.33 EUR
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2000+0.88 EUR
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NDT3055 NDT3055 ONSEMI ndt3055-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 25A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
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NDT3055
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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NDT3055
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
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NDT3055
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.09 EUR
133+1.3 EUR
178+0.93 EUR
500+0.76 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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NDT3055
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 2882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
82+3.07 EUR
140+1.65 EUR
250+1.34 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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NDT3055
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 2882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.07 EUR
140+1.65 EUR
250+1.34 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NDT3055
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
auf Bestellung 6507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.25 EUR
11+2.05 EUR
50+1.54 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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Hersteller: onsemi
MOSFETs SOT-223 N-CH ENHANCE
auf Bestellung 9676 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+3.33 EUR
10+2.09 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.96 EUR
2000+0.88 EUR
4000+0.86 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 25A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
auf Bestellung 2552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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