
NDT456P ON Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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1000+ | 1.07 EUR |
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Technische Details NDT456P ON Semiconductor
Description: MULTICOMP PRO - NDT456P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NDT456P nach Preis ab 0.83 EUR bis 4.56 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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NDT456P | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT456P | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDT456P | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 6517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT456P | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 893 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT456P | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT456P | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT456P | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 10016 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDT456P | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 15 V |
auf Bestellung 9411 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NDT456P | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 42387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT456P | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT456P | Hersteller : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT456P | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 42391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT456P | Hersteller : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
auf Bestellung 4834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT456P | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NDT456P | Hersteller : ON Semiconductor |
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NDT456P | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; 7.5/-7.5A; 3W; SOT223-4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: 7.5/-7.5A Power dissipation: 3W Case: SOT223-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NDT456P | Hersteller : ON Semiconductor |
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NDT456P | Hersteller : ON Semiconductor |
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NDT456P | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; 7.5/-7.5A; 3W; SOT223-4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: 7.5/-7.5A Power dissipation: 3W Case: SOT223-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement |
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