NE3210S01 NEC
Hersteller: NEC
Транз. Пол. СВЧ X to Ku Band Super Low Noise N-Channel FET, Nf=0,35 dB, Ga=13,5 dB @ 12 GHz
Транз. Пол. СВЧ X to Ku Band Super Low Noise N-Channel FET, Nf=0,35 dB, Ga=13,5 dB @ 12 GHz
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Technische Details NE3210S01 NEC
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD, Packaging: Strip, Package / Case: 4-SMD, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 12GHz, Gain: 13.5dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.35dB, Supplier Device Package: SMD, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| NE3210S01 |
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NE3210S01 Produktcode: 116994
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