NE3210S01 NEC
Hersteller: NEC
Транз. Пол. СВЧ X to Ku Band Super Low Noise N-Channel FET, Nf=0,35 dB, Ga=13,5 dB @ 12 GHz
Транз. Пол. СВЧ X to Ku Band Super Low Noise N-Channel FET, Nf=0,35 dB, Ga=13,5 dB @ 12 GHz
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Technische Details NE3210S01 NEC
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD, Packaging: Strip, Package / Case: 4-SMD, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 12GHz, Gain: 13.5dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.35dB, Supplier Device Package: SMD, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Weitere Produktangebote NE3210S01
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NE3210S01 Produktcode: 116994 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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| NE3210S01 | Hersteller : California Eastern Labs |
 Trans JFET 4V 70mA AlGaAs 4-Pin Case S01 |
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| NE3210S01 | Hersteller : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD Packaging: Strip Package / Case: 4-SMD Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 12GHz Gain: 13.5dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.35dB Supplier Device Package: SMD Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
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| NE3210S01 | Hersteller : Renesas Electronics | Renesas Electronics |
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NE3210S01 | Hersteller : CEL |
RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET |
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