NE5550779A-T1A-A Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 79A
Current Rating (Amps): 2.1A
Frequency: 900MHz
Power - Output: 38.5dBm
Gain: 22dB
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 9 V
Current - Test: 140 mA
auf Bestellung 20035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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Technische Details NE5550779A-T1A-A Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: 79A, Current Rating (Amps): 2.1A, Frequency: 900MHz, Power - Output: 38.5dBm, Gain: 22dB, Voltage - Rated: 30 V, Voltage - Test: 9 V, Current - Test: 140 mA.
Weitere Produktangebote NE5550779A-T1A-A nach Preis ab 4.51 EUR bis 6.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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| NE5550779A-T1A-A | Hersteller : Renesas |
Trans RF MOSFET N-CH 30V 2.1A 4-Pin Case 79A T/R |
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