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NE58219-T1-A

NE58219-T1-A CEL


NE58219.pdf Hersteller: CEL
Description: NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Supplier Device Package: SC-75 (USM)
Part Status: Last Time Buy
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Technische Details NE58219-T1-A CEL

Description: NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Gain: 5dB, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 60mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 5GHz, Supplier Device Package: SC-75 (USM), Part Status: Last Time Buy.

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