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NE68133-T1B-A CEL

Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3

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Technische Details NE68133-T1B-A CEL

Description: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 13dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 65mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V, Frequency - Transition: 9GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Supplier Device Package: SOT-23-3.

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
NE68133-T1B-A	Hersteller : CEL	Description: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SOT-23-3	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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