NE68133-T1B-A CEL
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Power - Max: 200mW
Gain: 13dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details NE68133-T1B-A CEL
Description: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Frequency - Transition: 9GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, Current - Collector (Ic) (Max): 65mA, Power - Max: 200mW, Gain: 13dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote NE68133-T1B-A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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NE68133-T1B-A | CEL |
Description: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SOT-23-3 |
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NE68133-T1B-A | CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
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| NE68133-T1B-A | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
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NE68133-T1B-A | Renesas Electronics |
Bipolar Transistors - BJT |
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| NE68133-T1B-A |
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Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Description: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
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| NE68133-T1B-A |
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RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
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| NE68133-T1B-A |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
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Hersteller: Renesas Electronics
Bipolar Transistors - BJT
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