NE68519-A CEL
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT-523
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-523
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 12GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 125mW
Gain: 11dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Bulk
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NE68519-A CEL
Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT-523, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-523, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Frequency - Transition: 12GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Power - Max: 125mW, Gain: 11dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-523, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote NE68519-A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE68519-A | CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NE68519-A | Renesas Electronics |
Bipolar Transistors - BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NE68519-A |
|
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE68519-A |
|
Hersteller: Renesas Electronics
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH