NE85633-T1B-R25-A CEL
Hersteller: CELDescription: SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 3-MINIMOLD
Part Status: Obsolete
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Technische Details NE85633-T1B-R25-A CEL
Description: SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 11.5dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V, Frequency - Transition: 7GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Supplier Device Package: 3-MINIMOLD, Part Status: Obsolete.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| NE85633-T1B-R25-A |
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