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NE85639-T1-A California Eastern Laboratories

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Hersteller: California Eastern Laboratories
Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 200mW 4-Pin SOT-143 T/R
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Technische Details NE85639-T1-A California Eastern Laboratories

Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT-143, Supplier Device Package: SOT-143, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Frequency - Transition: 9GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Gain: 13dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NE85639-T1-A NE85639-T1-A CEL RF-Wireless-Brochure.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT-143
Supplier Device Package: SOT-143
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Gain: 13dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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NE85639-T1-A NE85639-T1-A CEL RF-Wireless-Brochure.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT-143
Supplier Device Package: SOT-143
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Gain: 13dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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NE85639-T1-A NE85639-T1-A CEL ne85639-611283.pdf RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
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Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT-143
Supplier Device Package: SOT-143
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Gain: 13dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT-143
Supplier Device Package: SOT-143
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 9GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Gain: 13dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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