NESG2030M04-T2-A
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Technische Details NESG2030M04-T2-A
Description: TRANS NPN 2GHZ SOT-343, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: SOT-343F, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Gain: 16dB, Power - Max: 80mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.3V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V, Frequency - Transition: 60GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz, Supplier Device Package: M04.
Weitere Produktangebote NESG2030M04-T2-A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| NESG2030M04-T2-A | Hersteller : Renesas |
Trans RF BJT NPN 2.3V 0.035A 80mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NESG2030M04-T2-A | Hersteller : CEL |
Description: TRANS NPN 2GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 16dB Power - Max: 80mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 60GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz Supplier Device Package: M04 |
Produkt ist nicht verfügbar |