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Technische Details NGB8207ABNT4G onsemi
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; ignition systems, Mounting: SMD, Application: ignition systems, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level, Case: D2PAK, Collector-emitter voltage: 365V, Gate-emitter voltage: ±15V, Collector current: 20A, Pulsed collector current: 50A, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 165W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote NGB8207ABNT4G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| NGB8207ABNT4G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NGB8207ABNT4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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| NGB8207ABNT4G | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; ignition systems Mounting: SMD Application: ignition systems Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Case: D2PAK Collector-emitter voltage: 365V Gate-emitter voltage: ±15V Collector current: 20A Pulsed collector current: 50A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 165W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NGB8207ABNT4G | Hersteller : IXYS |
IGBT Transistors 365V 20A IGBT IGNITION |
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| NGB8207ABNT4G | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; ignition systems Mounting: SMD Application: ignition systems Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Case: D2PAK Collector-emitter voltage: 365V Gate-emitter voltage: ±15V Collector current: 20A Pulsed collector current: 50A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 165W |
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