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| Anzahl | Preis |
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Technische Details NGB8207ABNT4G onsemi
Description: ONSEMI - NGB8207ABNT4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT, tariffCode: 85412900, productTraceability: No, rohsCompliant: YES, euEccn: NLR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NGB8207ABNT4G nach Preis ab 0.93 EUR bis 1.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NGB8207ABNT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NGB8207ABNT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 28800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NGB8207ABNT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| NGB8207ABNT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGB8207ABNT4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NGB8207ABNT4G | Hersteller : IXYS |
IGBT Transistors 365V 20A IGBT IGNITION |
Produkt ist nicht verfügbar |