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NGB8207ABNT4G

NGB8207ABNT4G onsemi


ONSMS21109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: onsemi
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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Technische Details NGB8207ABNT4G onsemi

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; Features: logic level, Collector-emitter voltage: 365V, Gate-emitter voltage: ±15V, Collector current: 20A, Pulsed collector current: 50A, Type of transistor: IGBT, Application: ignition systems, Power dissipation: 165W, Kind of package: reel; tape, Version: ESD, Features of semiconductor devices: logic level, Mounting: SMD, Case: D2PAK, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NGB8207ABNT4G Hersteller : ONSEMI ONSMS21109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NGB8207ABNT4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NGB8207ABNT4G Hersteller : LITTELFUSE NGB8207ABN.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; Features: logic level
Collector-emitter voltage: 365V
Gate-emitter voltage: ±15V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Application: ignition systems
Power dissipation: 165W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NGB8207ABNT4G NGB8207ABNT4G Hersteller : IXYS Littelfuse_Power_Semiconductor_Ignition_IGBT_Devic-3311125.pdf IGBT Transistors 365V 20A IGBT IGNITION
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NGB8207ABNT4G Hersteller : LITTELFUSE NGB8207ABN.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; Features: logic level
Collector-emitter voltage: 365V
Gate-emitter voltage: ±15V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Application: ignition systems
Power dissipation: 165W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
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