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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 481+ | 1.05 EUR |
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Technische Details NGB8207ABNT4G onsemi
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; Features: logic level, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 365V, Collector current: 20A, Power dissipation: 165W, Case: D2PAK, Gate-emitter voltage: ±15V, Pulsed collector current: 50A, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: logic level, Application: ignition systems, Version: ESD.
Weitere Produktangebote NGB8207ABNT4G nach Preis ab 0.96 EUR bis 1.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NGB8207ABNT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NGB8207ABNT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 28800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NGB8207ABNT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 165000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NGB8207ABNT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGB8207ABNT4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NGB8207ABNT4G | Hersteller : IXYS |
IGBT Transistors 365V 20A IGBT IGNITION |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NGB8207ABNT4G | Hersteller : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 365V; 20A; 165W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 365V Collector current: 20A Power dissipation: 165W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±15V Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD |
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