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Technische Details NGB8207ABNT4G onsemi
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO.
Weitere Produktangebote NGB8207ABNT4G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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NGB8207ABNT4G | IXYS |
IGBT Transistors 365V 20A IGBT IGNITION |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NGB8207ABNT4G |
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Hersteller: IXYS
IGBT Transistors 365V 20A IGBT IGNITION
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