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NGTB15N60EG ON Semiconductor

Hersteller: ON Semiconductor
IGBT Transistors 15A 600V IGBT

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Technische Details NGTB15N60EG ON Semiconductor

Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 270 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-220AB, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 78ns/130ns, Switching Energy: 900µJ (on), 300µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 117 W.

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
NGTB15N60EG	On Semiconductor	TO220 Транзистори	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NGTB15N60EG	onsemi	Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 270 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 78ns/130ns Switching Energy: 900µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 117 W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NGTB15N60EG	ON Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NGTB15N60EG

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TO220 Транзистори

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Hersteller: onsemi
Description: IGBT NPT 600V 30A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 78ns/130ns
Switching Energy: 900µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 117 W

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NGTB15N60EG

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Mindestbestellmenge: 700 Stücke

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