NGTB25N120FL2WG onsemi
Hersteller: onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
auf Bestellung 33 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 14.36 EUR |
| 30+ | 8.39 EUR |
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Technische Details NGTB25N120FL2WG onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 154 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns, Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 178 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 385 W.
Weitere Produktangebote NGTB25N120FL2WG nach Preis ab 6.53 EUR bis 13.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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NGTB25N120FL2WG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NGTB25N120FL2WG | Hersteller : onsemi |
IGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NGTB25N120FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NGTB25N120FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NGTB25N120FL2WG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NGTB25N120FL2WG | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 192W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal Gate charge: 178nC Case: TO247-4 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 100A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NGTB25N120FL2WG | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4 Mounting: THT Type of transistor: IGBT Power dissipation: 192W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal Gate charge: 178nC Case: TO247-4 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 100A |
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